¿Cuál es el principio de falla por sobrecalentamiento del diodo de recuperación rápida?

Revise el último número, presenté en detalle los 9 tipos de capacitores comúnmente utilizados en nuestros componentes electrónicos, las características materiales de los capacitores se presentarán y analizarán en detalle, hoy debido a que Z cerca de las empresas nacionales de nitruro de silicio también marcó el comienzo de una nueva ola de auge financiero, la industria de semiconductores tiene grandes acciones con frecuencia, luego hablaremos sobre el diodo de recuperación rápida de semiconductores, su falla por sobrecalentamiento es causada por qué.  La falla térmica se refiere al trabajo de recuperación rápida del diodo causado por el aumento en el consumo de energía, más que la temperatura de unión Tjm permitida por el dispositivo, lo que resulta en una falla térmica del dispositivo.

La ruptura térmica está relacionada con la temperatura de funcionamiento del dispositivo, y la temperatura intrínseca Tint se usa generalmente para predecir el mecanismo de daño del dispositivo a medida que aumenta la temperatura. Cuando la temperatura aumenta, la concentración del portador ni (T) es igual a la temperatura de la concentración de dopaje del sustrato ND. A medida que aumenta la temperatura, la concentración de portadores aumenta exponencialmente. El tinte está relacionado con la concentración de dopaje y el tinte es mucho menor para los dispositivos comunes de alto voltaje que para los dispositivos de bajo voltaje. El dispositivo Tjm es generalmente mucho más pequeño que Tint debido a materiales, procesos y otros factores.   Debido a que el dispositivo real no funciona en equilibrio térmico, también es necesario considerar cómo funciona el dispositivo en relación con la temperatura. Por ejemplo, en el inversor, el consumo de energía generado por la conducción de corriente, el estado de corte es causado por la corriente de fuga y el consumo de energía generado por el alto voltaje inverso durante el proceso de recuperación inversa aumentan la temperatura de funcionamiento del dispositivo y provocan una retroalimentación directa entre la temperatura y la corriente, y finalmente se produce una ruptura térmica. Por lo tanto, la ruptura térmica se produce cuando la densidad de potencia generada térmicamente es mayor que la densidad de potencia disipada determinada por el sistema de embalaje del dispositivo. Para evitar fallos térmicos del dispositivo, su temperatura de funcionamiento generalmente se mantiene por debajo de Tjm.

Si el dispositivo comienza a derretirse localmente, indica que el diodo de recuperación rápida ha fallado térmicamente. Si la temperatura local es demasiado alta y se produce en el área punteada, también provocará grietas en el núcleo. Cuando la frecuencia operativa del diodo de recuperación rápida es alta, la transición de alta frecuencia entre el estado de interrupción y el estado de paso generará una gran cantidad de consumo de energía y la forma de falla por sobrecalentamiento del dispositivo puede variar. Sin embargo, a medida que aumenta la temperatura, la capacidad de bloqueo comienza a perderse y casi todos los terminales planos se rompen en los bordes. Por lo tanto, el punto de daño suele estar ubicado en el borde del dispositivo, o al menos en su borde.